第三代半導(dǎo)體材料量產(chǎn)難題破解！百惠浦超純水設(shè)備助力
隨著5G基站、新能源汽車爆發(fā)式增長，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料需求激增。然而，其生產(chǎn)對超純水的金屬離子、TOC等指標(biāo)要求比硅基芯片嚴(yán)苛10倍以上。如何突破水質(zhì)瓶頸？百惠浦半導(dǎo)體超純水設(shè)備通過創(chuàng)新技術(shù)給出答案。
一、第三代半導(dǎo)體對超純水的極致要求
- 金屬離子≤0.01ppt：Na?、K?等殘留會導(dǎo)致GaN外延層缺陷；
- TOC≤0.5ppb：有機(jī)物污染將引發(fā)SiC晶圓表面微管；
- PH值精準(zhǔn)控制：碳化硅蝕刻廢水需耐受強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境。
二、百惠浦設(shè)備技術(shù)方案與優(yōu)勢
1. 雙級拋光混床+靶向吸附樹脂
采用納米級離子交換樹脂選擇性吸附金屬離子，實(shí)測Na?濃度低至0.007ppt，突破行業(yè)極限。
2. 抗酸蝕RO膜技術(shù)
膜表面鍍覆碳化硅涂層，可在pH=2~12環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，延長膜壽命至5年以上。
3. 在線SPE-TOC聯(lián)用檢測系統(tǒng)
通過固相萃取與總有機(jī)碳分析聯(lián)用，實(shí)時(shí)監(jiān)測超痕量有機(jī)物，確保外延生長“零污染”。
三、客戶案例：某功率器件大廠良率提升數(shù)據(jù)
某全球TOP3 SiC模塊廠商采用百惠浦設(shè)備后：
- 晶圓良率從82%提升至89%，年增產(chǎn)值超2億元；
- 設(shè)備停機(jī)率下降70%，耗材更換成本節(jié)省35%；
- 支持8英寸GaN產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)，流量擴(kuò)展至20T/H無壓力。
四、國產(chǎn)超純水設(shè)備的未來布局
百惠浦環(huán)保，是研產(chǎn)銷一站式服務(wù)的廠家，擁有多家分工廠、分公司，服務(wù)多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)，已通過ISO9001體系認(rèn)證，深耕水處理行業(yè)近20年，合作案例1000+，純水處理，就找百惠浦！純水設(shè)備系統(tǒng)解決方案全球提供商，根據(jù)客戶水質(zhì)需求提供設(shè)計(jì)、設(shè)備、工程、服務(wù)一站式服務(wù)，企業(yè)水處理難題，百惠浦環(huán)保為你解決！
2025年03月27日
